陶庚名，博士，祖籍湖北武汉，本科和硕士毕业于武汉大学物理系，博士毕业于加拿大西蒙菲莎大学电子工程系，现任无锡学院集成电路科学与工程学院教授，陶博士是电气和电子工程师协会(IEEE)高级会员，2013国际微波研讨会（IMS2013）技术指导委员会(Steering Committee/TPC)的成员，华美半导体协会理事，国家重大人才项目获得者，入选江苏省双创计划、无锡市太湖人才计划项目。

陶博士一直在美国、加拿大、中国大陆及香港等地从事化合物半导体材料、器件和工艺的研发工作，从九十年代起就在武汉邮电科学院参与中国第一批用于光纤通讯的先进半导体激光器和探测器的研发工作，2000年赴加拿大西蒙菲莎大学（Simon Fraser University）进行深造并在超高速双级晶体管的创始人博洛涅西(C.R. Bolognesi)教授的实验室开始从事化合物(III-V)半导体微电子器件的研究工作。其博士课题是: 磷化铟/镓砷锑(InP/GaAsSb) 超高速晶体管的模拟,表征和优化。获得博士学位后，先后在香港科技大学(HKUST)Kai-May Lau教授（美国工程院院士，IEEE Fellow）的实验室和美国加州大学(UCLA)Diana Huffaker教授的实验室工作，从事砷化镓等化合物(III-V)半导体材料生长(MOCVDandMBE)的研究。2008年就职于美国TriQuint Semiconductor (后改为Qorvo, www.qorvo.com)担任砷化镓器件工艺高级研发工程师, 负责用于3G和4G手机通讯芯片(功率放大器PA, 开关Switch等)的高电子迁移率晶体管（pHEMT）和异质结双极晶体管 （HBT）的研发。同期他还创建了华美半导体协会波特兰分会并任会长。2015年加入美国高通（Qualcomm）公司并领导用于5G移动通讯的射频器件的研发和产品制造。

陶博士已在国际权威性学术刊物及会议上发表三十多篇学术文章，并合作申请了60多项国际专利，并获得了49项美国专利授权。